Transistor bipolar 2SB630

Características del transistor 2SB630

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB630

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB630 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 200. La ganancia del 2SB630-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB630-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB630-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB630 puede estar marcado sólo como "B630".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB630 es el 2SD610.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB630

Puede sustituir el 2SB630 por el 2SA1009, 2SA1009A, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
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