Transistor bipolar MJE5850G
Características del transistor MJE5850G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -300 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -350 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 80 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
- El MJE5850G es la versión sin plomo del transistor MJE5850
Diagrama de pines del MJE5850G
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE5850G
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