Transistor bipolar MJE5851G

Características del transistor MJE5851G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -350 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -400 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE5851G es la versión sin plomo del transistor MJE5851

Diagrama de pines del MJE5851G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE5851G

Puede sustituir el MJE5851G por el MJE15035, MJE15035G, MJE5851, MJE5852 o MJE5852G.
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