Transistor bipolare 2SB861C
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB861C
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -150 V
- Tensione massima collettore-base: -200 V
- Tensione massima emettitore-base: -6 V
- Corrente di collettore continua: -2 A
- Dissipazione di potenza: 30 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -45 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SB861C
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB861C
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