Transistor bipolar 2SB630-Q

Características del transistor 2SB630-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB630-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB630-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB630 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB630-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB630-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB630-Q puede estar marcado sólo como "B630-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB630-Q es el 2SD610-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB630-Q

Puede sustituir el 2SB630-Q por el 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1009A, 2SA1009A-H, 2SA1668, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
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