Transistor bipolare 2SB1186A-E
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1186A-E
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -160 V
- Tensione massima collettore-base: -160 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -1.5 A
- Dissipazione di potenza: 20 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
- Frequenza di transizione: 50 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
Piedinatura del 2SB1186A-E
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1186A-E
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