Transistor bipolaire S8050C

Caractéristiques électriques du transistor S8050C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du S8050C

Le S8050C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor S8050C peut avoir un gain en courant continu de 120 à 200. Le gain en courant continu du S8050 est compris entre 85 à 300, celui du S8050B entre 85 à 160, celui du S8050D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor S8050C

Le transistor PNP complémentaire du S8050C est le S8550C.

Substituts et équivalents pour le transistor S8050C

Vous pouvez remplacer le transistor S8050C par 2N4401, 2N5172, 2SD471A, 2SD471AY, KN2222, KN2222A, KSD471A, KSD471AY, KSP2222A, KTC8050, KTC8050C, KTC9013, KTN2222, KTN2222A, M8050, M8050-C, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS3414, MPS3416, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS6531, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050C, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219, PN2219A, PN2222, PN2222A, PN3569, S9013, SS8050, SS8050C, ZTX449 ou ZTX450.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com