Transistor bipolaire MPS650G

Caractéristiques électriques du transistor MPS650G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 75
  • Fréquence de transition minimum: 75 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPS650G est la version sans plomb du transistor MPS650

Brochage du MPS650G

Le MPS650G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS650G

Le transistor PNP complémentaire du MPS650G est le MPS750G.

Version SMD du transistor MPS650G

Le 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GK (SOT-89), 2SD1615-GL (SOT-89), 2SD1615-GM (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD1622-R (SOT-89), 2SD1622-S (SOT-89), 2SD1622-T (SOT-89), 2SD1622-U (SOT-89), 2SD1623 (SOT-89), 2SD1623-R (SOT-89), 2SD1623-S (SOT-89), 2SD1623-T (SOT-89), 2SD1623-U (SOT-89), 2SD874A (SOT-89), 2SD874A-Q (SOT-89), 2SD874A-R (SOT-89), 2SD874A-S (SOT-89), BSP50 (SOT-223), MMBT2222A (SOT-23) et PZT2222A (SOT-223) est la version SMD du transistor MPS650G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS650G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS650G par MPS650, MPS651, MPS651G ou ZTX690B.
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