Transistor bipolaire NTE123AP

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 300
• Fréquence de transition minimum: 250 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le NTE123AP est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du NTE123AP est le NTE159.Le 2SD602A (SOT-23), DXT2222A (SOT-89), DZT2222A (SOT-223), FJX2222A (SOT-323), FMMT2222A (SOT-23), FMMT2222AR (SOT-23), KN2222AS (SOT-23), KST2222A (SOT-23), KST4401 (SOT-23), KTN2222AS (SOT-23), KTN2222AU (SOT-323), MMBT100 (SOT-23), MMBT2222AT (SOT-523F), MMBT4401 (SOT-23), MMST2222A (SOT-323), MMST4401 (SOT-323), PMBT2222A (SOT-23), PMBT4401 (SOT-23), PMST2222A (SOT-23) et PMST4401 (SOT-323) est la version SMD du transistor NTE123AP.Vous pouvez remplacer le transistor NTE123AP par 2N4401, 2SC1008, BC537, BC538, KN2222A, KSC1008, KSP2222A, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01A, MPSW01AG, P2N2222A, P2N2222AG, PN2219A, PN2222A, PN4033 ou ZTX450.