Transistor bipolaire MPS8599
Caractéristiques électriques du transistor MPS8599
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 300
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du MPS8599
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS8599
Version SMD du transistor MPS8599
Substituts et équivalents pour le transistor MPS8599
Version sans plomb
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