Transistor bipolaire MJE200

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 180
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE200 est le MJE210.Vous pouvez remplacer le transistor MJE200 par KSE200 ou MJE200G.Le transistor MJE200G est la version sans plomb du MJE200.