Transistor bipolaire MJE200G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 180
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le MJE200G est la version sans plomb du transistor MJE200

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE200G par KSE200 ou MJE200.