Transistor bipolaire KSE200

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 180
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular MJE200 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du KSE200 est le KSE210.Vous pouvez remplacer le transistor KSE200 par MJE200 ou MJE200G.