Transistor bipolaire MJD112T4G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
• Le MJD112T4G est la version sans plomb du transistor MJD112T4

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD112T4G est marqué "J112G".Le FMMT624 (SOT-23) et FZT694B (SOT-223) est la version SMD du transistor MJD112T4G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD112T4G par MJD112, MJD112G, MJD112T4, MJD122, MJD122G, MJD122T4 ou MJD122T4G.