Transistor bipolaire MJ12020

Caractéristiques électriques du transistor MJ12020

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 450 V
  • Tension collecteur-base maximum: 850 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 125 W
  • Gain de courant (hfe): 5
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du MJ12020

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ12020

Vous pouvez remplacer le transistor MJ12020 par 2SC2429A, 2SC2965, 2SC3044A, 2SC3046, 2SC3058A, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD870, 2SD871, BUX47A, BUX48A, BUX48B, BUX48C, BUX81, BUX83, MJ12004, MJ12005, MJ12021, MJ12022, MJ13071, MJ16002, MJ16004, MJ16006, MJ16008, MJ8502, MJ8503, MJ8504 ou MJ8505.
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