Transistor bipolaire 2SD821

Caractéristiques électriques du transistor 2SD821

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 600 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 8
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SD821

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD821 peut n'être marqué que D821.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD821

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD821 par 2SD822, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12005, MJ8504 ou MJ8505.
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