Transistor bipolaire MJ12021
Caractéristiques électriques du transistor MJ12021
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 450 V
- Tension collecteur-base maximum: 850 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 150 W
- Gain de courant (hfe): 5
- Fréquence de transition minimum: 15 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du MJ12021
Substituts et équivalents pour le transistor MJ12021
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