Transistor bipolaire MJ8503

Caractéristiques électriques du transistor MJ8503

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1400 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 8
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du MJ8503

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ8503

Vous pouvez remplacer le transistor MJ8503 par MJ8505.
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