Transistor bipolaire MJ11028G

Caractéristiques électriques du transistor MJ11028G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 50 A
  • Dissipation de puissance maximum: 300 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 18000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le MJ11028G est la version sans plomb du transistor MJ11028

Brochage du MJ11028G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

MJ11028G equivalent circuit

Complémentaire du transistor MJ11028G

Le transistor PNP complémentaire du MJ11028G est le MJ11029G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ11028G

Vous pouvez remplacer le transistor MJ11028G par MJ11028, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 ou MJ11032G.
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