Transistor bipolaire BDX63B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 7 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX63B est le BDX62B.Vous pouvez remplacer le transistor BDX63B par BDX63C, BDX65B, BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035, TIP602 ou TIP642.