Transistor bipolaire KSA643G

Caractéristiques électriques du transistor KSA643G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SA643G transistor

Brochage du KSA643G

Le KSA643G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSA643CG (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSA643G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSA643G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSA643 est compris entre 40 à 400, celui du KSA643O entre 70 à 140, celui du KSA643R entre 40 à 80, celui du KSA643Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSA643G

Le transistor NPN complémentaire du KSA643G est le KSD261G.

Transistor KSA643G en boîtier TO-92

Le 2SA643G est la version TO-92 du KSA643G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSA643G

Vous pouvez remplacer le transistor KSA643G par 2SA643, 2SA643G, 2SB564A, 2SB564AGR, KSB564A, KSB564AG, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG ou MPSW51G.
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