Transistor bipolaire 2SD1609

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1609

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 145 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD1609

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1609 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SD1609-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SD1609-C entre 100 à 200, celui du 2SD1609-D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1609 peut n'être marqué que D1609.

Complémentaire du transistor 2SD1609

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1609 est le 2SB1109.

Transistor 2SD1609 en boîtier TO-92

Le HSD1609S est la version TO-92 du 2SD1609.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1609

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1609 par 2SC2258, 2SC2690A, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790, 2SC3955, 2SC3956, 2SD1610, BD127, BD128, HSD1609, KSC2258, KSC2258A, KSC2690A, KSC3502 ou KSC3503.
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