Transistor bipolaire 2SD669A-B

Caractéristiques électriques du transistor 2SD669A-B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
  • Tension collecteur-base maximum: 180 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD669A-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD669A-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD669A est compris entre 60 à 200, celui du 2SD669A-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD669A-B peut n'être marqué que D669A-B.

Complémentaire du transistor 2SD669A-B

Le transistor PNP complémentaire du 2SD669A-B est le 2SB649A-B.
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