Transistor bipolaire BDV65BG

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le BDV65BG est la version sans plomb du transistor BDV65B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDV65BG est le BDV64BG.Vous pouvez remplacer le transistor BDV65BG par 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65B, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 ou TIP142G.