Transistor bipolaire 2SD2390-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SD2390-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 12000
  • Fréquence de transition minimum: 55 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD2390-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD2390-O peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 12000. Le gain en courant continu du 2SD2390 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SD2390-P entre 6500 à 20000, celui du 2SD2390-Y entre 15000 à 30000.

Equivalent circuit

2SD2390-O equivalent circuit

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD2390-O peut n'être marqué que D2390-O.

Complémentaire du transistor 2SD2390-O

Le transistor PNP complémentaire du 2SD2390-O est le 2SB1560-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD2390-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD2390-O par BDV67D, MJH11018, MJH11018G, MJH11020, MJH11020G, MJH11022 ou MJH11022G.
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