Transistor bipolaire BDV65B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDV65B est le BDV64B.Vous pouvez remplacer le transistor BDV65B par 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65BG, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 ou TIP142G.Le transistor BDV65BG est la version sans plomb du BDV65B.