Transistor bipolaire 2SD1197

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 110 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 70 W
• Gain de courant (h_fe): 1500
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1197 peut n'être marqué que D1197.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1197 est le 2SB887.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1197 par 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P ou 2SD2390-Y.