Transistor bipolaire BD527
Caractéristiques électriques du transistor BD527
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 4 V
- Courant collecteur continu maximum: 2 A
- Dissipation de puissance maximum: 8 W
- Gain de courant (hfe): 30
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-202
Brochage du BD527
Complémentaire du transistor BD527
Version SMD du transistor BD527
Substituts et équivalents pour le transistor BD527
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