Transistor bipolaire BSP52T1

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 90 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BSP52T1 est marqué "BSP52".Le transistor PNP complémentaire du BSP52T1 est le BSP62T1.Vous pouvez remplacer le transistor BSP52T1 par BSP52, BSP52T1G, BSP52T3 ou BSP52T3G.Le transistor BSP52T1G est la version sans plomb du BSP52T1.