Transistor bipolaire BD529

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 8 W
• Gain de courant (h_fe): 30
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD529 est le BD530.Le FMMT624 (SOT-23) et FZT694B (SOT-223) est la version SMD du transistor BD529.