Transistor bipolaire BSP52T3G

Caractéristiques électriques du transistor BSP52T3G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 90 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223
  • Le BSP52T3G est la version sans plomb du transistor BSP52T3

Brochage du BSP52T3G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor BSP52T3G est marqué "BSP52G".

Complémentaire du transistor BSP52T3G

Le transistor PNP complémentaire du BSP52T3G est le BSP62T3G.

Substituts et équivalents pour le transistor BSP52T3G

Vous pouvez remplacer le transistor BSP52T3G par BSP52, BSP52T1, BSP52T1G ou BSP52T3.
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