Transistor bipolaire BSP52T3G
Caractéristiques électriques du transistor BSP52T3G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 90 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-223
- Le BSP52T3G est la version sans plomb du transistor BSP52T3
Brochage du BSP52T3G
Marquage
Complémentaire du transistor BSP52T3G
Substituts et équivalents pour le transistor BSP52T3G
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