Transistor bipolaire BCW65C

Caractéristiques électriques du transistor BCW65C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 250 à 630
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW65C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW65C peut avoir un gain en courant continu de 250 à 630. Le gain en courant continu du BCW65 est compris entre 100 à 630, celui du BCW65A entre 100 à 250, celui du BCW65B entre 160 à 400.

Complémentaire du transistor BCW65C

Le transistor PNP complémentaire du BCW65C est le BCW67C.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW65C

Vous pouvez remplacer le transistor BCW65C par BCW66, BCW66H ou FMMT619.
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