Transistor bipolaire BCW66H

Caractéristiques électriques du transistor BCW66H

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 75 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 250 à 630
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW66H

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW66H peut avoir un gain en courant continu de 250 à 630. Le gain en courant continu du BCW66 est compris entre 100 à 630, celui du BCW66F entre 100 à 250, celui du BCW66G entre 160 à 400.

Complémentaire du transistor BCW66H

Le transistor PNP complémentaire du BCW66H est le BCW68H.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW66H

Vous pouvez remplacer le transistor BCW66H par FMMT619 ou FMMT620.
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