Transistor bipolaire BCW60B

Caractéristiques électriques du transistor BCW60B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
  • Tension collecteur-base maximum: 32 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 180 à 310
  • Fréquence de transition minimum: 125 MHz
  • Figure de bruit maximum: 6 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW60B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BCW60B

Le transistor PNP complémentaire du BCW60B est le BCW61B.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW60B

Vous pouvez remplacer le transistor BCW60B par 2SC1623, 2SC2412, 2SC2412-R, 2SC2712, 2SC3441, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SD601A, 2SD602A, 2SD602A-S, 2STR1160, BC817, BC817-25, BC847, BC850, BCW65, BCW65B, BCW66, BCW66G, BCX19, BCX70H, FMMT619, FMMTA05, KSC1623, KST05, KTC3875, KTC3875S, MMBT100, MMBT2484, MMBT3904L, MMBTA05 ou SMBTA05.
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