Transistor bipolaire 2STR1160

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 180 à 560
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2STR1160 est le 2STR2160.Vous pouvez remplacer le transistor 2STR1160 par FMMT620.