Transistor bipolaire BCW65

Caractéristiques électriques du transistor BCW65

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 630
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW65

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW65 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 630. Le gain en courant continu du BCW65A est compris entre 100 à 250, celui du BCW65B entre 160 à 400, celui du BCW65C entre 250 à 630.

Complémentaire du transistor BCW65

Le transistor PNP complémentaire du BCW65 est le BCW67.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW65

Vous pouvez remplacer le transistor BCW65 par BCW66 ou FMMT619.
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