Transistor bipolaire BCW32
Caractéristiques électriques du transistor BCW32
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
- Tension collecteur-base maximum: 32 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 450
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Figure de bruit maximum: 10 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du BCW32
Marquage
Complémentaire du transistor BCW32
Substituts et équivalents pour le transistor BCW32
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