Transistor bipolaire 2STN1360

Caractéristiques électriques du transistor 2STN1360

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.6 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 130 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du 2STN1360

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2STN1360

Le transistor PNP complémentaire du 2STN1360 est le 2STN2360.

Substituts et équivalents pour le transistor 2STN1360

Vous pouvez remplacer le transistor 2STN1360 par BDP949, BDP951, BDP953, BDP955 ou NZT44H8.
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