Transistor bipolaire BDP949

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 3 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 475
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BDP949 est marqué "BDP949".Le transistor PNP complémentaire du BDP949 est le BDP950.Vous pouvez remplacer le transistor BDP949 par BDP951, BDP953, BDP955 ou NZT44H8.