Transistor bipolaire BDP953

Caractéristiques électriques du transistor BDP953

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 3 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 475
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du BDP953

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor BDP953 est marqué "BDP953".

Complémentaire du transistor BDP953

Le transistor PNP complémentaire du BDP953 est le BDP954.

Substituts et équivalents pour le transistor BDP953

Vous pouvez remplacer le transistor BDP953 par BDP955.
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