Transistor bipolaire BDP951

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 3 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 475
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BDP951 est marqué "BDP951".Le transistor PNP complémentaire du BDP951 est le BDP952.Vous pouvez remplacer le transistor BDP951 par BDP953 ou BDP955.