Caractéristiques électriques du transistor 2SD313E
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 5 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD313E
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD313E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD313 est compris entre 40 à 320, celui du 2SD313C entre 40 à 80, celui du 2SD313D entre 60 à 120, celui du 2SD313F entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD313E peut n'être marqué que D313E.
Complémentaire du transistor 2SD313E
Le transistor PNP complémentaire du 2SD313E est le 2SB507E.
Version SMD du transistor 2SD313E
Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD313E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD313E