Caractéristiques électriques du transistor 2SD1666-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 40 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1666-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1666-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1666 est compris entre 70 à 280, celui du 2SD1666-Q entre 70 à 140, celui du 2SD1666-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1666-R peut n'être marqué que D1666-R.
Complémentaire du transistor 2SD1666-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1666-R est le 2SB1133-R.
Version SMD du transistor 2SD1666-R
Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1666-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1666-R