Caractéristiques électriques du transistor 2SB507E
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 5 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB507E
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB507E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB507 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB507C entre 40 à 80, celui du 2SB507D entre 60 à 120, celui du 2SB507F entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB507E peut n'être marqué que B507E.
Complémentaire du transistor 2SB507E
Le transistor NPN complémentaire du 2SB507E est le 2SD313E.
Version SMD du transistor 2SB507E
Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB507E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB507E