Transistor bipolaire KSD227

Caractéristiques électriques du transistor KSD227

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227 transistor

Brochage du KSD227

Le KSD227 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD227 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 400. Le gain en courant continu du KSD227G est compris entre 200 à 400, celui du KSD227O entre 70 à 140, celui du KSD227Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD227

Le transistor PNP complémentaire du KSD227 est le KSA642.

Transistor KSD227 en boîtier TO-92

Le 2SD227 est la version TO-92 du KSD227.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD227

Vous pouvez remplacer le transistor KSD227 par 2SD227, 2SD471A, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG ou MPSW01G.
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