Transistor bipolaire KSD227O

Caractéristiques électriques du transistor KSD227O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227O transistor

Brochage du KSD227O

Le KSD227O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD227O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du KSD227 est compris entre 70 à 400, celui du KSD227G entre 200 à 400, celui du KSD227Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD227O

Le transistor PNP complémentaire du KSD227O est le KSA642O.

Transistor KSD227O en boîtier TO-92

Le 2SD227O est la version TO-92 du KSD227O.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD227O

Vous pouvez remplacer le transistor KSD227O par 2N4400, 2SC1210, 2SD227, 2SD227O, 2SD471A, 2SD471AO, KTC9013, MPS3705, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G ou S9013.
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