Transistor bipolaire KSD227O
Caractéristiques électriques du transistor KSD227O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
- Tension collecteur-base maximum: 30 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 140
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SD227O transistor
Brochage du KSD227O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSD227O
Transistor KSD227O en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSD227O
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