Caractéristiques électriques du transistor 2SD1681-T
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 18 V
Tension collecteur-base maximum: 20 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 1.2 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD1681-T
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1681-T peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SD1681 est compris entre 70 à 400, celui du 2SD1681-Q entre 70 à 140, celui du 2SD1681-R entre 100 à 200, celui du 2SD1681-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1681-T peut n'être marqué que D1681-T.
Complémentaire du transistor 2SD1681-T
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1681-T est le 2SB1141-T.
Version SMD du transistor 2SD1681-T
Le 2SC3440 (SOT-23), BCX68 (SOT-89) et BCX68-25 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD1681-T.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1681-T