Transistor bipolaire KSH882-G

Caractéristiques électriques du transistor KSH882-G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882GR transistor

Brochage du KSH882-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSH882-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSH882 est compris entre 60 à 400, celui du KSH882-O entre 100 à 200, celui du KSH882-R entre 60 à 120, celui du KSH882-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSH882-G

Le transistor PNP complémentaire du KSH882-G est le KSH772-G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSH882-G

Vous pouvez remplacer le transistor KSH882-G par 2SC2270, 2SC3420, 2SC3420-GL, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1348, 2SD1348-T, 2SD1683, 2SD1683-T, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD882, 2SD882E, 2SD882GR, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSD882-G, KTD882, KTD882-GR, MJE222, MJE225 ou MJE520.
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