Transistor bipolaire KTD882

Caractéristiques électriques du transistor KTD882

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor

Brochage du KTD882

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD882 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 400. Le gain en courant continu du KTD882-GR est compris entre 200 à 400, celui du KTD882-O entre 100 à 200, celui du KTD882-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KTD882

Le transistor PNP complémentaire du KTD882 est le KTB772.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD882

Vous pouvez remplacer le transistor KTD882 par 2SD1348, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, 2SD882, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225 ou MJE520.
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