Transistor bipolaire KSD882

Caractéristiques électriques du transistor KSD882

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor

Brochage du KSD882

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD882 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 400. Le gain en courant continu du KSD882-G est compris entre 200 à 400, celui du KSD882-O entre 100 à 200, celui du KSD882-R entre 60 à 120, celui du KSD882-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSD882

Le transistor PNP complémentaire du KSD882 est le KSB772.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD882

Vous pouvez remplacer le transistor KSD882 par 2SD882, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSH882, MJE222, MJE225 ou MJE520.
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